RSFJL RTGの技術仕様
Taiwan Semiconductor Corporation - RSFJL RTG技術仕様、属性、パラメーター、およびTaiwan Semiconductor Corporation - RSFJL RTG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Taiwan Semiconductor | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.3 V @ 500 mA | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Sub SMA | |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 250 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | DO-219AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 600 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 500mA | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 4pF @ 4V, 1MHz | |
| 基本製品番号 | RSFJL |
右側の三つのパーツはTaiwan Semiconductor Corporation RSFJL RTGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RSFJL RTG | 70HFR80 | B160-13-F | MR1124R |
| メーカー | Taiwan Semiconductor Corporation | Solid State Inc. | Diodes Incorporated | Solid State Inc. |
| 逆回復時間（trrの） | 250 ns | - | - | - |
| 技術 | Standard | Standard | Schottky | Standard |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 600 V | 200 µA @ 800 V | 500 µA @ 60 V | 500 µA @ 400 V |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 190°C |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 500mA | 70A | 1A | 12A |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Box |
| Vrと、F @キャパシタンス | 4pF @ 4V, 1MHz | - | 110pF @ 4V, 1MHz | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Stud Mount | Surface Mount | Stud Mount |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600 V | 800 V | 60 V | 400 V |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.3 V @ 500 mA | 1.3 V @ 70 A | 700 mV @ 1 A | 1 V @ 12 A |
| 基本製品番号 | RSFJL | - | B160 | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | Sub SMA | DO-5 | SMA | DO-4 |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| パッケージ/ケース | DO-219AB | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-214AC, SMA | DO-203AA, DO-4, Stud |
RSFJL RTG - Taiwan Semiconductor CorporationのRSFJL RTG PDFデータテーブルとTaiwan Semiconductor Corporationドキュメントをダウンロード
RSF05G1-1PTOSSHIBA
RSF010P03LAPIS Technology
RSF100JT-52-4K7AGYageo
RSF05G1-5PTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraRSF010P05LAPIS TechnologyRSF010P05TLRohm SemiconductorMOSFET P-CH 45V 1A TUMT370HFR80Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 70A DO5RSF16F2FHT106LAPIS TechnologyB160-13-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 60V 1A SMARSF010P05 TLLAPIS TechnologyRSF010P03TLRohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 1A TUMT3
RSF2WSJT-73-15RYAGEORES 15 OHM 5% 2W AXIALRSF015N06TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3MR1124RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
DSS20-0015BIXYSDIODE SCHOTTKY 15V 20A TO220ACRSF010P03 TLLAPIS TechnologyRSF014N03TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3RSF014N03LAPIS Technology| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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